半导体分立器件测试仪

IST8800提供了40种测量参数，它们分别为：
·三极管：Icbo,lceo,lebo,Bvcbo,Bvebo,Bvceo,Vce（sat）VbeHfe，Icer,1Cesm，Icev,BVCer，BvceS,Bvcev；
·二极管：Ir,BVr,Vr·齐纳二极管：BVz,lzr,Vzr,Vzf  J—FET：Idss；Igss,BVgss,gm，SCR&TRIAC：+/|lgt,+/|vgt  
·稳压器：+/_VO,+lib，△V  MOS-PET：Idss，Igss,BVdss,Vgs（th）
性能特点：·后备电池的CMOS RAM，提供56个不同测试程序的参数与数据的存储功能·全部可编程的DUT恒流源和电压源
· 300μS脉冲测试或直流测试·内置继电器矩阵提供更加灵活并且准确的测量·软件自校准功能·内部自动保护电路在DUT加电前，检测开路、短路，PH结反向，辨别器件类型（NPN或PNP、P-沟道或N-沟道），校验正确的连接·测试分辨率小到0.1nA电流，大到1200V电压

·重复“回路”式测试解决了元件发热与间歇的问题。

技术规格：

参数规范： 漏电流：三极管 icbo,iceo,icev,ices,ice r二极 izr           J/MOS-FET 栅极电压： idss
测试范围
分辨率
精度
测试条件
0 ～ 2mA
1μA
+/-1%
0 ～ 600V*
0 ～ 20μA
10nA
+/-1%
0 ～ 600V*
0 ～ 2μA
1nA
+/-1%
0 ～ 600V*
0 ～ 200μA
0.1nA
+/-3%
0 ～ 600V*
  
击穿电压：三极管 Bvcbo,Bvceo,Bvebo,Bvcev,Bvces,Bvcer,          齐纳二极管 Vzr J/MOS场效应管BVgss/bvdss
测试范围
分辨率
精度
测试条件
0 ～ 30V
0.15V
+/-1%
0 ～ 10 mA
30 ～ 600V
3V
+/-2%
0 ～ 2 mA
 
正向导通电压：三极管 Vce（sat）Vbe（sat）二极管Vf            J/MOS 场效应管Vgs（th） 极管Bvr齐纳管Vzf
测试范围
分辨率
精度
测试条件
0 ～ 4V
1 mV
+/-1%
0 ～ 5A（1c.1f）
0 ～ 15V
1 mV
+/-2%
0 ～ 1A（1b）
 
三极管电流增益 Hfe
测试范围
分辨率
精度
测试条件
0 ～ 9999
1
+/-2%
0 ～ 10（Vce）
 
 
 
0.5mA ～ 5A（lc）
 
齐纳二极管反向击穿压BVz
测试范围
分辨率
精度
测试条件
0 ～ 4V
1mV
+/-1%
0 ～ 0.5A
4 ～ 60V
15mV
+/-1%
0 ～ 0.5A
 
J/MOS场效应管lgss，稳压器静态电流+/-lgt
测试范围
分辨率
精度
测试条件
0 ～ 200 mA
0.1 mA
+/-1%
0 ～ 30V
0 ～ 20 mA
1μA
+/-1%
0 ～ 30V
0 ～ 2μA
10 nA
+/-1%
0 ～ 30V
0 ～ 2μA
1 nA
+/-2%
0 ～ 30V
 
J型场效应管跨导gm
测试范围
分辨率
精度
测试条件
0 ～ 99mMHo
0.05 mMHo
+/-1%
0 ～ 30V
0 ～ 99μMHo
0.05μMHo
+/-1%
0 ～ 30V
0 ～ 99nMHo
0.05 nMHo
+/-2%
0 ～ 30V
 
可控硅管和三端双向可控硅管触发电流 +/-lgt
测试范围
分辨率
精度
测试条件
0 ～ 1A
5 mA
+/-1%
0.9 ～ 5V
0 ～ 100 mA
0.5 mA
+/-1%
0.9 ～ 5V
0 ～ 10 mA
50μA
+/-1%
0.9 ～ 5V
0 ～ 1 mA
5μA
+/-1%
0.9 ～ 5V
0 ～ 1μA
0.5μA
+/-1%
0.9 ～ 5V
 
可控硅管和三端双向可控硅管擎住电流 lh
测试范围
分辨率
精度
测试条件
0 ～ 200 mA
1 mA
+/-1%
0.9 ～ 5V
 
可控硅管和三端双向可控硅管触发电压 +/-Vgt、稳压器输出电压+/-Vo、稳压器电压差△V
测试范围
分辨率
精度
测试条件
0 ～ 4V
1 mV
+/-1%
0 ～ 30V
4 ～ 40V
10 mV
+/-1%
0 ～ 30V