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半导体元件特性测试
准确的游标对照
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低耗电量
| 特性 | |
| 测试范围 | |
| 三个电压档 | Collector/Drain 电压≤2V，10V，40V±5% |
| 三个电流档 | Collector/Drain 电流≤2mA，20mA，200mA±5% |
| 三个功率档 | 功率≤0.04W, 0.4W, 4W±10% |
| Base/Gate电压及电流 | Ib 1μA～10μA Vb至2V±5% Vg至10V±5% |
| 精确度（静止精度） | |
| Vc/d | ±（2% o.v.+3 位） |
| Ic/d | ±（2% o.v.+3 位） |
| Ib | ±（2% o.v.+3 位） |
| Vb | ±（2% o.v.+3 位） |
| Vg | ±（3% o.v.+3 位 |
| β至1000 | ±（5% o.v.+3 位） |
| β至100000 | ±[（6+0.001×β）% o.v.+3位] |
| 精确度（动态精度） | |
| h11 | ≤1000Ω±（12%o.v.+3位） ≥1000Ω±[（12+0.001meas.value）%o.v.+3位） |
| h21 | ≤1000±（12%o.v.+3位） ≥1000±[（12+0.001meas.value）% o.v.+3位） |
| y21 | ≤1000mS±（12% o.v.+3位） |
| h/y22 | ≤1000mS±（12% o.v.+3位） |
| 杂项功能 | |
| 参考测试值可储存 | |
| 游标测试功能 | |
| 单一模式 | 计算测试点的值 |
| 跟踪模式 | 两个游标定位后h/y数据测试计算 |
| 可以适用的元件 | Diodes,Zener Diodes |
| NPN/PNP-Transistors | |
| FET/MOS-FET（N/P-Channel） | |
| Thyristors | |
| 显示器 | 2×16-Digit, LCD 配合CRT，5曲线测试结果 |
| 其他 | CRT6寸，8X10格 |
| 加速电压2KV 扫描调校，在面板设置 | |
| 电源 | 100-240VAC±10% 50/60HZ |
| 功耗 | 36WATT |
| 工作温差 | 0度－40度 |
| 附件 | 操作说明书，电源线，插入式测试架 |
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